SK hynix представила самую быструю в мире мобильную память DRAM, которую назвала LPDDR5T

«T» означает «Turbo», поскольку новые чипы оперативной памяти на 13% быстрее, чем оперативная память LPDDR5X, которая недавно начала появляться на устройствах премиум-класса.


LPDDR5T работает на скорости 9,6 Гбит/с по сравнению с 8,5 Гбит/с для 5X и 6,4 Гбит/с для исходной LPDDR5. На этой скорости новая оперативная память может обрабатывать 77 ГБ данных за одну секунду.

Обратите внимание, что 5T — это не новое поколение DRAM, а скорее усовершенствование 5X. Чипы основаны на процессе 1 Anm, четвертом поколении 10-нм узла, и используют процесс HKMG (High-K Metal Gate), который снижает энергопотребление и увеличивает скорость. HKMG для чипов DRAM впервые был представлен SK с прошлогодними чипами 5X.

Компания уже отправила своим партнерам образцы — мультичиповые упаковки объемом 16 ГБ (они объединяют несколько чипов LPDDR5T в одном корпусе). SK hynix планирует начать массовое производство 5T RAM во второй половине этого года.

Конечно, более быстрая оперативная память будет использоваться в смартфонах, но компания также видит применение в AI и AR/VR.

Samsung совсем недавно объявила, что выпустила LPDDR5X как естественную эволюцию LPDDR5. Новая память от корейского бренда достигает скорости 8,5 Гбит/с, что до недавнего времени было самой высокой скоростью в отрасли для DRAM.