DDR5 для всех. Samsung представила пямять класса 12 нм со скоростью работы до 7,2 Гбит/сек.

Samsung объявила о разработке памяти DDR5 с новым техпроцессом для выпуска на массовый рынок в 2023 году. Компания первой среди конкурентов представила технологию 12 нанометрового процесса работы. Такой формат позволяет достигать скорости обработки данных до 7,2 Гбит с.


Как пример производительности системы приводится возможность обрабатывать видеофайлы сверхвысокого разрешения UHD весом до тридцати гигабайт в течении секунды, то есть почти в реальном времени. В то же время энергопотребление сократится вплоть до 23% по сравнению с предыдущим стандартом памяти.

Массовое производство передовых чипов запланировано на 2023 год. К этому моменту Samsung планирует расширить применение обновленной линейки DRAM, в том числе, за счет сотрудничества с партнерами в отрасли. Уже известно, что новая технология создается с учетом совместимости с платформой Zen от AMD, на ее основе произведены тесты по производительности, а также дополнительной оптимизации для конкретных моделей процессоров из этой линейки.


— Джуён Ли, вице-президент по продуктам и технологиям Samsung Electronics.

Samsung сохраняет статус главного производителя высокотехнологичных чипов памяти за счет доступа к наиболее современному инструментарию производства. Уже представленный в 2020 году метод ультрафиолетовой литографии EUV на этот раз применяется в сочетании с технологией High-k Metal Gate. Такой подход позволяет создать память с наибольшей плотностью кристаллов среди существующих решений, добившись рекордного увеличения производительности в 20%.

Таким образом, исходя из заявлений компании, уже в новом году можно ожидать перехода DDR5-12нм из состояния экспериментальной технологии для энтузиастов в сферу повсеместного применения в актуальных системах.