Как пример производительности системы приводится возможность обрабатывать видеофайлы сверхвысокого разрешения UHD весом до тридцати гигабайт в течении секунды, то есть почти в реальном времени. В то же время энергопотребление сократится вплоть до 23% по сравнению с предыдущим стандартом памяти.
Массовое производство передовых чипов запланировано на 2023 год. К этому моменту Samsung планирует расширить применение обновленной линейки DRAM, в том числе, за счет сотрудничества с партнерами в отрасли. Уже известно, что новая технология создается с учетом совместимости с платформой Zen от AMD, на ее основе произведены тесты по производительности, а также дополнительной оптимизации для конкретных моделей процессоров из этой линейки.
12-нанометровая память DRAM станет ключевым фактором для широкого внедрения DDR5 на современном рынке. За счет исключительной энергоэффективности и производительности наша новая память послужит основой для более устойчивых операций в сферах вычислений нового поколения, таких, как центры обработки данных, и системы на основе искусственного интеллекта
— Джуён Ли, вице-президент по продуктам и технологиям Samsung Electronics.
Samsung сохраняет статус главного производителя высокотехнологичных чипов памяти за счет доступа к наиболее современному инструментарию производства. Уже представленный в 2020 году метод ультрафиолетовой литографии EUV на этот раз применяется в сочетании с технологией High-k Metal Gate. Такой подход позволяет создать память с наибольшей плотностью кристаллов среди существующих решений, добившись рекордного увеличения производительности в 20%.
Таким образом, исходя из заявлений компании, уже в новом году можно ожидать перехода DDR5-12нм из состояния экспериментальной технологии для энтузиастов в сферу повсеместного применения в актуальных системах.
