Samsung начинает массовое производство 12-нанометровой памяти DDR5 DRAM класса EUV

Компания Samsung недавно объявила о начале массового производства своей 16-гигабитной (Гб) памяти DDR5 DRAM с использованием новаторского в отрасли техпроцесса класса 12 нанометров (нм). Об этом было официально объявлено после первоначального анонса, сделанного в декабре прошлого года.

Расширение возможностей приложений с искусственным интеллектом: потенциал новейшей памяти DRAM от Samsung

Производственный процесс включает в себя передовую многослойную литографию с использованием экстремального ультрафиолета (EUV), обеспечивающую самую высокую плотность кристаллов в отрасли. Следовательно, представленная технология обеспечивает увеличение производительности пластин на 20%.

Кроме того, эта DDR5 DRAM демонстрирует значительное снижение энергопотребления до 23% по сравнению с предыдущими поколениями. Samsung утверждает, что это делает их решение очень подходящим для глобальных ИТ-компаний, стремящихся повысить экологичность своей деятельности.

Как объясняет Samsung, использование нового материала способствует увеличению емкости элемента. Увеличенная емкость приводит к значительной разности электрических потенциалов в сигналах данных, что способствует их более точному различению.

Заявлено, что DDR5 DRAM обеспечивает скорость 7,2 гигабит в секунду (Гбит/с). Чтобы представить это в реальных задачах, он может обрабатывать два 30-гигабайтных (ГБ) фильма сверхвысокой четкости всего за одну секунду. Эта исключительная скорость позволяет технологии поддерживать расширяющийся спектр приложений, включая центры обработки данных, искусственный интеллект и вычисления следующего поколения.

Samsung завершила оценку своей 16-гигабитной DDR5 DRAM на совместимость с AMD в декабре прошлого года и продолжает сотрудничать с глобальными ИТ-компаниями для внедрения инноваций на рынке DRAM следующего поколения.