Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Samsung, один из лидеров в области производства микросхем памяти, анонсировал разработку нового типа оперативной памяти DDR5, который обещает увеличить емкость, скорость и энергоэффективность модулей ОЗУ. Новая память DDR5 будет иметь ёмкость 32 Гбит (4 ГБ) на одну микросхему, что позволит создавать модули объемом до 128 ГБ для настольных и серверных компьютеров. Такие объемы памяти могут быть необходимы для высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений.
DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory), которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. DDR5 была разработана организацией JEDEC, которая определяет спецификации и стандарты для микроэлектроники. DDR5 предлагает ряд преимуществ по сравнению с предыдущим стандартом DDR4, таких как:
— Увеличение скорости передачи данных с 3200 МТ/с (мегатранзакций в секунду) до 6400 МТ/с, а в перспективе — до 8400 МТ/с.
— Уменьшение напряжения питания с 1,2 В до 1,1 В, что снижает энергопотребление и тепловыделение.
— Увеличение емкости на одну микросхему с 16 Гбит (2 ГБ) до 32 Гбит (4 ГБ), что позволяет создавать модули большего объема.
— Улучшение надежности и стабильности работы за счет внедрения новых технологий коррекции ошибок и управления термическим режимом.
Samsung — прогрессивная компания, известная своими инновационными разработками, сделала новый шаг в мире технологий, представив первую в истории монолитную микросхему DDR5. Этот модуль памяти имеет впечатляющую ёмкость в 32 Гбит или 4 ГБ. Этот революционный прорыв стал возможен благодаря применению компанией своей передовой DRAM-технологии производства на 12 нанометров. Она обеспечивает высокую плотность и энергоэффективность. Утверждается, что модуль памяти DDR5 объемом вплоть до 128 ГБ на новых микросхемах потребляет на 10% меньше энергии по сравнению с аналогичной моделью, основанной на микросхемах вместимостью 16 Гбит.
Одна из ключевых преимуществ данной разработки – использование передовой DRAM-технологии компании, которая обеспечивает не только высокую плотность, но и оптимальное энергопотребление.
Переход к микросхемам DDR5 позволяет Samsung предложить различные модули памяти, подходящие для разных целей и потребностей. Для настольных компьютеров будут доступны модули UDIMM (Unbuffered Dual In-line Memory Module) или SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) объемом до 64 ГБ. Они обеспечат высокую производительность и улучшенную отзывчивость системы.
Для серверов предлагаются модули RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) или LRDIMM (Load Reduced Dual In-line Memory Module) с емкостью до 128 ГБ. Такие модули обеспечивают надежность и масштабируемость, что критически важно для серверных систем с высокой нагрузкой.
Однако, самым впечатляющим достижением становятся модули памяти TSV (Through Silicon Via) или 3DS (3D Stacking) с емкостью до 1 ТБ. Эти модули состоят из нескольких слоев микросхем, соединенных вертикальными проводами, что увеличивает плотность и пропускную способность памяти. Они предназначены для самых требовательных задач, обеспечивая высочайшую производительность и возможности для инноваций.
Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний.
Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. С помощью новой памяти можно будет создавать компьютеры с огромным объемом оперативной памяти, которая будет работать быстрее и эффективнее, чем существующие решения.
DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory), которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. DDR5 была разработана организацией JEDEC, которая определяет спецификации и стандарты для микроэлектроники. DDR5 предлагает ряд преимуществ по сравнению с предыдущим стандартом DDR4, таких как:
— Увеличение скорости передачи данных с 3200 МТ/с (мегатранзакций в секунду) до 6400 МТ/с, а в перспективе — до 8400 МТ/с.
— Уменьшение напряжения питания с 1,2 В до 1,1 В, что снижает энергопотребление и тепловыделение.
— Увеличение емкости на одну микросхему с 16 Гбит (2 ГБ) до 32 Гбит (4 ГБ), что позволяет создавать модули большего объема.
— Улучшение надежности и стабильности работы за счет внедрения новых технологий коррекции ошибок и управления термическим режимом.
Samsung — прогрессивная компания, известная своими инновационными разработками, сделала новый шаг в мире технологий, представив первую в истории монолитную микросхему DDR5. Этот модуль памяти имеет впечатляющую ёмкость в 32 Гбит или 4 ГБ. Этот революционный прорыв стал возможен благодаря применению компанией своей передовой DRAM-технологии производства на 12 нанометров. Она обеспечивает высокую плотность и энергоэффективность. Утверждается, что модуль памяти DDR5 объемом вплоть до 128 ГБ на новых микросхемах потребляет на 10% меньше энергии по сравнению с аналогичной моделью, основанной на микросхемах вместимостью 16 Гбит.
Одна из ключевых преимуществ данной разработки – использование передовой DRAM-технологии компании, которая обеспечивает не только высокую плотность, но и оптимальное энергопотребление.
Переход к микросхемам DDR5 позволяет Samsung предложить различные модули памяти, подходящие для разных целей и потребностей. Для настольных компьютеров будут доступны модули UDIMM (Unbuffered Dual In-line Memory Module) или SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) объемом до 64 ГБ. Они обеспечат высокую производительность и улучшенную отзывчивость системы.
Для серверов предлагаются модули RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) или LRDIMM (Load Reduced Dual In-line Memory Module) с емкостью до 128 ГБ. Такие модули обеспечивают надежность и масштабируемость, что критически важно для серверных систем с высокой нагрузкой.
Однако, самым впечатляющим достижением становятся модули памяти TSV (Through Silicon Via) или 3DS (3D Stacking) с емкостью до 1 ТБ. Эти модули состоят из нескольких слоев микросхем, соединенных вертикальными проводами, что увеличивает плотность и пропускную способность памяти. Они предназначены для самых требовательных задач, обеспечивая высочайшую производительность и возможности для инноваций.
Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний.
Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. С помощью новой памяти можно будет создавать компьютеры с огромным объемом оперативной памяти, которая будет работать быстрее и эффективнее, чем существующие решения.
Наши новостные каналы
Подписывайтесь и будьте в курсе свежих новостей и важнейших событиях дня.
Рекомендуем для вас
Пригвоздили серпом к земле, перерезали горло и…
Ученые рассказали, как провела последние мгновенья жизни таинственная «вампирша» из Польши....
Секретные китайские спутники «Тысячи парусов» — новый кошмар для астрономов
Наблюдать за звездами с Земли становится всё проблематичнее....
Раскрыта правда о «зелёной» Англии
На самом деле, Великобритании угрожает лососевое вымирание....
Почему викинги не сумели колонизировать Северную Америку?
1000-летняя тайна, похоже, все-таки разгадана....
Доказано на макаках: одиночество в старости сокращает шансы заболеть
Меньше других рядом — меньше угроз....
Лазеры раскрыли тайны затерянных городов на Великом шелковом пути
Стало известно, как города-близнецы процветали в суровом высокогорье....
Аномальное древнее кладбище найдено на юге Испании
В 5500-летнем некрополе оказалось много женщин и мало мужчин....
Специалисты NASA заявляют, что жизнь на Марсе может... скрываться
И они знают, где ее искать....
Коджи и лианглы: ученые раскрыли тайны самого древнего оружия
Выяснилось, что коренные австралийцы тоже любили смертельно подраться....
И снова наглый плагиат от компании Tesla?
Маск опять в суде. Теперь из-за «Бегущего по лезвию 2049»....
Ученые наконец-то подтвердили, что солнечный максимум уже наступил
Метеозависимым людям придётся несладко....
Судебный анализ ДНК может сделать невиновного преступником
Эксперты знают, но ничего не могут поделать....
Добыча криптовалюты: кто-то на этом зарабатывает, а кто-то теряет здоровье
Американские ученые вскрыли неожиданную проблему....
С помощью лидаров археологи нашли ещё более 6600 сооружений майя
Ещё предстоит обнаружить все крупные города древней цивилизации....
Гонки по вертикали: как долго Эверест будет самой высокой горой на планете?
Ученые, кажется, сумели разгадать эту загадку природы....
Потерянная туника Александра Македонского нашлась через 2300 лет
На сегодня это единственная подлинная вещь великого царя....