Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?

Samsung, один из лидеров в области производства микросхем памяти, анонсировал разработку нового типа оперативной памяти DDR5, который обещает увеличить емкость, скорость и энергоэффективность модулей ОЗУ. Новая память DDR5 будет иметь ёмкость 32 Гбит (4 ГБ) на одну микросхему, что позволит создавать модули объемом до 128 ГБ для настольных и серверных компьютеров. Такие объемы памяти могут быть необходимы для высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений.


DDR5 — это пятая генерация двойной синхронной динамической памяти с произвольным доступом (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory), которая является стандартом для оперативной памяти в компьютерах. DDR5 была разработана организацией JEDEC, которая определяет спецификации и стандарты для микроэлектроники. DDR5 предлагает ряд преимуществ по сравнению с предыдущим стандартом DDR4, таких как:

— Увеличение скорости передачи данных с 3200 МТ/с (мегатранзакций в секунду) до 6400 МТ/с, а в перспективе — до 8400 МТ/с.
— Уменьшение напряжения питания с 1,2 В до 1,1 В, что снижает энергопотребление и тепловыделение.
— Увеличение емкости на одну микросхему с 16 Гбит (2 ГБ) до 32 Гбит (4 ГБ), что позволяет создавать модули большего объема.
— Улучшение надежности и стабильности работы за счет внедрения новых технологий коррекции ошибок и управления термическим режимом.

Samsung — прогрессивная компания, известная своими инновационными разработками, сделала новый шаг в мире технологий, представив первую в истории монолитную микросхему DDR5. Этот модуль памяти имеет впечатляющую ёмкость в 32 Гбит или 4 ГБ. Этот революционный прорыв стал возможен благодаря применению компанией своей передовой DRAM-технологии производства на 12 нанометров. Она обеспечивает высокую плотность и энергоэффективность. Утверждается, что модуль памяти DDR5 объемом вплоть до 128 ГБ на новых микросхемах потребляет на 10% меньше энергии по сравнению с аналогичной моделью, основанной на микросхемах вместимостью 16 Гбит.

Одна из ключевых преимуществ данной разработки – использование передовой DRAM-технологии компании, которая обеспечивает не только высокую плотность, но и оптимальное энергопотребление.

Переход к микросхемам DDR5 позволяет Samsung предложить различные модули памяти, подходящие для разных целей и потребностей. Для настольных компьютеров будут доступны модули UDIMM (Unbuffered Dual In-line Memory Module) или SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) объемом до 64 ГБ. Они обеспечат высокую производительность и улучшенную отзывчивость системы.

Для серверов предлагаются модули RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) или LRDIMM (Load Reduced Dual In-line Memory Module) с емкостью до 128 ГБ. Такие модули обеспечивают надежность и масштабируемость, что критически важно для серверных систем с высокой нагрузкой.

Однако, самым впечатляющим достижением становятся модули памяти TSV (Through Silicon Via) или 3DS (3D Stacking) с емкостью до 1 ТБ. Эти модули состоят из нескольких слоев микросхем, соединенных вертикальными проводами, что увеличивает плотность и пропускную способность памяти. Они предназначены для самых требовательных задач, обеспечивая высочайшую производительность и возможности для инноваций.

Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами. Поэтому важную роль в распространении нового стандарта будут играть производители платформ, такие как AMD, Intel, Ampere и другие. Они должны будут адаптировать свои чипы и чипсеты для работы с DDR5, а также пройти процесс валидации и сертификации модулей памяти от Samsung и других компаний.

Новая память DDR5 от Samsung может стать революционным продуктом в области компьютерной техники, так как она открывает новые возможности для развития высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта, больших данных и других современных приложений. С помощью новой памяти можно будет создавать компьютеры с огромным объемом оперативной памяти, которая будет работать быстрее и эффективнее, чем существующие решения.